Samsung prezantoi një modul të ri RAM i cili tregon potencialin e memories DDR5 sa i përket shpejtësisë dhe kapacitetit.
Moduli 512GB është i pari i bazuar në teknologjinë High-K Metal Gate me shpejtësi deri në 7,200 Mbps, ose dyfishin e memories DDR4 tha Samsung.
Aktualisht kjo memorie synon segmentin e superkompjuterëve, inteligjencës artificiale dhe machine learning por në fund do të gjejë rrugën për tek kompjuterët e zakonshëm duke rritur fuqinë gaming.
Samsung zbuloi për herë të parë teknologjinë HKMG në 2018-ën me çipet GDDR6 përdorur në kartat grafike. Zhvilluar nga Intel, përdor hafnium në vend të silikonit dhe krijuar mundësi për çipe me densitet ë të lartë.
Çdo çip përdor 8 nivele DRAM 16GB për një kapacitet prej 128GB. Samsung i duhen 32 çipe për të krijuar një modul 512GB RAM. Përveç kapacitetit dhe performancës, ka edhe përfitime të tjera si konsumin 13% më i ulët i energjisë.
Me shpejtësi prej 7,200 Mbps, një modul do të kishte 57.6 GB/s shpejtësi transferimi mbi një kanal të vetëm. Kompjuterët e parë me këtë teknologji mund të vinë në 2022 kur AMD të prezantojë platformën Zen4 me mbështetjen për RAM DDR5.
